### 产品简介
NVD6414ANT4G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO252封装，设计用于高电压和中等功率应用。其额定VDS为100V，结合良好的导通性能和合理的导通电阻，使其在各种电源管理和开关应用中表现出色，能够在高负载条件下稳定工作。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **VDS**：100V
- **VGS**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流（ID）**：40A
- **技术**：Trench
### 应用领域与模块
NVD6414ANT4G-VB广泛应用于DC-DC转换器、功率放大器和电动汽车驱动电路等领域。其较高的额定电压和良好的导通特性使其适合用于电源管理和高压电路中，能够显著降低能量损耗。在可再生能源和工业控制系统中，该MOSFET也能提供稳定的性能和高效的功率转换。此外，它在消费电子和家用电器中也能优化功率控制，确保设备的高效运行和更长的使用寿命。