### 产品简介
NVD6416ANLT4G是一款高效的N-Channel MOSFET，采用TO252封装，具备100V的漏源电压（VDS）和适中的导通电阻，设计旨在满足各种高电压应用的需求。这款MOSFET提供可靠的性能，广泛用于电源管理和开关电源领域。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 57mΩ @ VGS=4.5V
- 55mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 25A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
NVD6416ANLT4G广泛应用于电源管理、DC-DC变换器和工业控制等领域。其高电压承受能力使其特别适合于需要100V电压的高效能开关电源设计，能够有效降低能量损耗。在工业控制系统中，该MOSFET能够提供稳定的电流输出，增强系统的可靠性。此外，TO252封装设计在空间有限的应用中也表现出色，满足现代电子设备的多样化需求。