### 产品简介
P13P10ZA-VB是一款高性能P通道MOSFET，采用TO252封装，专为低压高效应用设计。其最大漏极源极电压可达-100V，适用于各种需要高电流和快速开关能力的电力电子设备。凭借其优秀的导通电阻，P13P10ZA-VB能够有效降低能量损耗，提升整体效率。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单P通道
- **漏极源极电压(VDS)**: -100V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: -2V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 120mΩ@VGS=4.5V
- 100mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: -16A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
P13P10ZA-VB广泛应用于各种电源管理和开关电源设计中，尤其适合负载开关、DC-DC转换器和电池管理系统。在电动工具和消费电子产品中，此MOSFET可以有效控制电流，实现高效能量转换。在汽车电子领域，它也被广泛应用于驱动电路和电池保护电路，确保系统的安全和高效运行。其出色的性能和可靠性使其成为现代电力电子设计中的重要组成部分。