### 产品简介
P1504BDG-VB是一款高效单N沟道MOSFET，封装为TO252，专为高电流和低导通电阻应用设计。其漏源电压（VDS）为40V，最大栅源电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为2.5V。该器件在VGS为10V时，其导通电阻（RDS(ON)）仅为12mΩ，能够承载高达55A的漏极电流（ID），确保在各种电子电路中具备高效能和可靠性。
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### 详细参数说明
| **参数** | **说明** |
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| **型号** | P1504BDG-VB（TO252） |
| **封装** | TO252 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **漏源电压 (VDS)** | 40V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 2.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 14mΩ（@VGS=4.5V），12mΩ（@VGS=10V） |
| **最大漏极电流 (ID)** | 55A |
| **技术** | Trench 技术 |
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### 适用领域和模块示例
1. **电源转换**
P1504BDG-VB在开关电源中表现优异，能够实现高效率的电能转换，适用于电源适配器和DC-DC转换器等电源管理设备。
2. **电动机驱动**
该MOSFET适用于电动机控制电路，能够为直流电动机提供稳定和高效的电流输出，广泛应用于家用电器和工业设备。
3. **LED照明**
P1504BDG-VB可以用于LED驱动电路，确保LED灯具高效工作，适合各种照明应用，如商业和家庭照明。
4. **消费电子**
此器件适用于智能手机、平板电脑等消费电子产品的充电和电源管理系统，支持快速充电和高效能输出。
5. **电池管理系统**
P1504BDG-VB在电池管理和保护电路中应用广泛，能够有效控制充电和放电过程，延长电池使用寿命，确保安全性。
这些应用展示了P1504BDG-VB在不同领域的灵活性和高效性，使其成为现代电子设计中的关键元件。