BW-4022C
功率半导体综合测试系统
BW-4022C半导体综合测试系统可同时针对：
【光耦】Input:Vf/It/Ct；Output:Iceo/BVceoBVeco;TransferCharacteristics:If/CTR&Vice(sat)/Riso/Cf/Fc/Tr/Tf.
适用于〖三极管管型光耦/可控硅光耦/继电器光耦〗进行测试。
【二极管】
--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；
〖Diode /稳压Diode/ZD/SBC/TVS/整流桥堆〗进行测试。
【压敏电阻】
〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗进行测试。
【锂亚电池】
〖Kelvin/电池空载电压（Vbt）/负载电压(Vbt_load ) /测试电流（0-10A 恒流 ）/负载电压变化值（▲Vbt_load）/电池内阻(Vbt Res) 等进行测试。
【晶振】
〖震荡频率(Freq_osc )/谐振电阻（Ri）/频率精度(Freq_ppm)/测试频率范围（10kHz~10MHz）等测试。
【其他测试功能可定制拓展】【产品详细参数资料请向厂家索要】
BW-4022C半导体综合测试系统是针对于半导体器件开发专用测试的系统，经我公司产品升级与开发，目前亦可以对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种器件进行参数测试，性能、精度、测试范围均满足客户测试需求，可用于客户端来料检验、研发分析、 产品选型等重要检测设备之一。
BW-4022C 半导体综合测试系统采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计， PC 中文操作界面，程控软件基于 Lab VIEW 平台， 填充调用式菜单操作界面，测试界面简洁 灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座，根据不同器件更换测试座配合，系统可适配设置完成对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种元件的静态参数测试。
该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具三部分组成，并接受客户端MES系统进行测试指令：方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作执行，并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理。
一、 设备规格与环境要求
物理规格
主机尺寸：深 660*宽 430*高 210(mm) 台式
主机重量：＜25kg
产品色系：白色系
工况环境
主机功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超过 1500m；
环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；
相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；
大气压力：86Kpa～106Kpa；
防护条件：无较大灰尘，腐蚀或可燃性气体，导电粉尘等；
供电要求
电源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；
工作时间：连续；
二、测试种类与技术指标
1、光耦测试：
输入（Input）相关参数
·正向电压（Forward Voltage）：
·符号：Vf
·最小值：无
·典型值：1.2 V
·MAX值：1.4 V
·单位：V
·测试条件：If=20mA
·反向电流（Reverse Current）：
·符号：Ir
·最小值：无
·典型值：无
·MAX值：10 μA
·单位：μA
·测试条件：Vr=4V
输出（Output）相关参数
·集电极暗电流（Collector Dark Current）：
·符号：Iceo
·最小值：无
·典型值：无
·MAX值：100 nA
·单位：nA
·测试条件：Vce-20V,If=0
·集电极 - 发射极击穿电压（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：
·符号：BVceo
·最小值：80 V
·典型值：无
·MAX值：无
·单位：V
·测试条件：Ic-0.1mA,If=0
·发射极 - 集电极击穿电压（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：
·符号：BVeco
·最小值：6 V
·典型值：无
·MAX值：无
·单位：V
·测试条件：Ie-10μA,,If=0
·集电极电流（Collector Current）：
·符号：Ic
·最小值：2.5 mA
·典型值：无
·MAX值：30 mA
·单位：mA
·测试条件：If=5mA,Vce-5V
·电流传输比（Current Transfer Ratio）：
·符号：CTR
·最小值：50 %
·典型值：无
·MAX值：600 %
·单位：%
·测试条件：If=5mA,Vce-5V
传输特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相关参数
·集电极 - 发射极饱和电压（Collector-Emitter Saturation Voltage）：
·符号：Vce
·最小值：无
·典型值：0.1 V
·MAX值：0.2 V
·单位：V
·测试条件：If=20mA,Ic-1mA
·隔离电阻（Isolation Resistance）：
·符号：Riso
·最小值：Ω
·典型值：Ω
·MAX值：无
·单位：Ω
·测试条件：DC500V, 40 - 60% R.H.
（以上参数基于晶体管LTV-816-Cu series特性参数）
·三极管管型光耦
·可控硅光耦
·继电器光耦
2、二极管类测试
·二极管类：二极管
·Diode
·Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（选配）；
二极管类：稳压二极管
·ZD（Zener Diode）
·Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；
二极管类：稳压二极管
·ZD（Zener Diode）
·Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；
二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode）
·Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；
二极管类： 瞬态二极管
·TVS
·Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ；
二极管类：整流桥堆
·Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；
二极管类：三相整流桥堆
·Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；
3、压敏电阻测试
·Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、 △Vr ;（参数配置精度与二极管一致）
4、锂亚电池测试
·Kelvin(0~150mV)
·电池空载电压（Vbt） 0-100V +-0.2%
·负载电压(Vbt_load ) 0-100V +-0.5% 测试电流（0-10A 恒流 ）
·负载电压变化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 测试电流（0-10A 恒流 ）
·电池内阻(Vbt Res) 0-10v +-5% 测试电流（0-10A 脉冲 ）
5、晶振测试
·震荡频率(Freq_osc )
·谐振电阻（Ri）
·频率精度(Freq_ppm)
·测试频率范围（10kHz~10MHz）
| 测试参数 | 符号 | 量程 | 测试范围 | 测试条件 | 测量精度 |
| 震荡频率 | Fosc | 10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz | 10kHz~10MHz | 0.1Hz | |
| 谐振电阻 | Rz | 0~100K | ±10% | ||
| 频率精度 | ppm | 0-1000 | 0.01% |
三、参数配置与性能指标
1.电流/电压源 VIS自带VI测量单元
1）加压（FV）
| 量程 | 分辨率 | 精度 |
| ±40V | 19.5mV | ± 1%设定值+FullRange0.1%± 19.5mV |
| ±20V | 10mV | ±1% 设定值+FullRange0.1%±10mV |
| ±10V | 5mV | ±1% 设定值+FullRange0.1%±5mV |
| ±5V | 2mV | ±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV |
| ±2V | 1mV | ±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV |
2)加流(FI)：
| 量程 | 分辨率 | 精度 |
| ±100A | 195mA | ±2% 设定值+FullRange0.1%±100mA |
| ±40A | 19.5mA | ±2% 设定值+FullRange0.1%±30mA |
| ±4A | 1.95mA | ±1% 设定值+FullRange0.1%±2mA |
| ±400mA | 119.5uA | ±1% 设定值+FullRange0.1%±200uA |
| ±40mA | 11.95uA | ±1% 设定值+FullRange0.1%±20uA |
| ±4mA | 195nA | ±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA |
| ±400uA | 19.5nA | ±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA |
| ±40uA | 1.95nA | ±2% 设定值+FullRange0.1%±2nA |
说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调
3). 电流测量(MI)
| 量程 | 分辨率 | 精度 |
| ±100A | 12.2mA | ±5% 读数值+FullRange0.2%±100mA |
| ±40A | 1.22mA | ±1% 读数值+FullRange0.1%±20mA |
| ±4A | 122uA | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mA |
| ±400mA | 12.2uA | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uA |
| ±40mA | 1.22uA | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uA |
| ±4mA | 122nA | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2uA |
| ±400uA | 12.2nA | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200nA |
| ±40uA | 1.22nA | ±1% 读数值+FullRange0.1%±20nA |
4). 电压测量(MV)
| 量程 | 分辨率 | 精度 |
| ±40V | 1.22mV | ±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV |
| ±20V | 122uV | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV |
| ±10V | 12.2uV | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV |
| ±5V | 1.22uV | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV |
2. 数据采集部分 VM （16位ADC，100K/S采样速率）
1). 电压测量(MV)
| 量程 | 分辨率 | 精度 |
| ±2000V | 1.22mV | ±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV |
| ±100V | 122uV | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV |
| ±10V | 12.2uV | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV |
| ±1V | 1.22uV | ±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV |
2). 漏电流测量(MI)
| 量程 | 分辨率 | 精度 |
| ±100mA | 30uA | ±1% 读数值+FullRange0.1%±30uA |
| ±10mA | 3uA | ±1% 读数值+FullRange0.1%±3uA |
| ±1mA | 300nA | ±1% 读数值+FullRange0.1%±300nA |
| ±100uA | 30nA | ±1% 读数值+FullRange0.1%±30nA |
| ±10uA | 3nA | ±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA |
| ±1uA | 300pA | ±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA |
| ±100nA | 30pA | ±1% 读数值+FullRange0.1%±5nA |
3
. 高压源 HVS(基本)16位DAC
1).加压(FV)
| 量程 | 分辨率 | 精度 |
| 2000V/10mA | 30.5mV | ±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV |
| 200V/10mA | 30.5mV | ±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV |
| 40V/50mA | 30.5mV | ±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV |
2).加流(FI)：
| 量程 | 分辨率 | 精度 |
| 10mA | 4.88uA | ±2% 设定值+FullRange0.1%±10uA |
| 2mA | 488nA | ±1% 设定值+FullRange0.1%±2uA |
| 200uA | 48.8nA | ±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA |
| 20uA | 4.88nA | ±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA |
| 2uA | 488pA | ±2% 设定值+FullRange0.1%±10nA |