GTVA355001EC氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

型号: GTVA355001EC

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描述
GTVA355001EC 是一款 500 瓦 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT),用于 2900 至 3500 MHz 频段。具有输入输出匹配功能;高效率; 和一个热增强封装。
 

GTVA355001EC

 

 

特征
宽带内部输入输出匹配
典型的脉冲连续波性能(AB 级);3500兆赫;50伏;300 μs 脉冲宽度;10% 占空比;P3dB = 500 W 时的输出功率;排水效率 = 65%;增益 = 13 分贝
无铅且符合 RoHS 标准

应用
雷达放大器


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