1. 概述
VPS8504B\C 是一款适用于推挽拓扑结构的 DCDC 隔离型开关电源集成控制器，内置功率管的内阻低至 0.1Ω，满足 2.8V~6V 多
种功率的应用。电流过大时钳位限制功率管电流，既保证了芯片自身工作在安全区，又使得外围器件免受大电流冲击。
通过 CLK 引脚悬空或接地可以选择两种不同的工作频率，并且在两路驱动之间设计了死区时间 t BBM ，既避免了共通的现象，又可
降低功率管开通时的漏源电压，减小了开关损耗。
可通过 EN 引脚来控制芯片的开通或关断。EN 被拉成高电位时（悬空时被自行拉成高电位），芯片正常运行；EN 被拉成低电位
时，芯片停止工作，实现***待机功耗
1 1 特点
? 推挽拓扑结构
? 高集成度，外围简单
? 内置 24V /0.1Ω LDMOS
? 1.7A 电流钳位限制
? 2.8-6V 输入电压范围
? 可选择两种开关频率
? 具备使能关断功能
? 可持续短路保护、过温保护，自恢复
? 芯片工作温度-40℃~+125℃
2 2 应用领域
? CAN\RS-485\RS-232\SPI\I2C等低功耗隔离电源
? 过程控制
? ***仪器\医疗仪器
? 分布式电源\无线电电源\电信电源
? 低噪声隔离式 USB 电源
? 低噪声灯丝电源
? IGBT 栅极驱动电源
3 说明
VPS8504B\C 是两款***为小体积、低待机功耗微
功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器，其外围只
需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电
路，即可实现 3.3V 或 5V 输入、3.3V~24V 输出、输出
功率 1~3W 的隔离电源。
它们内部集成振荡器，提供一对***互补信号以
驱动两个 N 沟道 MOSFET。芯片内部按照对称结构设
计，能有效确保两个功率 MOSFET 的高度对称性，避
免电路在工作过程发生偏磁。VPS8504B 芯片具有使能
引脚 EN，并可通过 CLK 引脚悬空或接地可以选择两种
不同的工作频率，同时内部设计有***的死区控制电
路确保在各种工作条件下不出现共通现象。VPS8504C
采用 SOT23-5 封装，未把使能功能 EN 引出。