MA4M1100(金属氮化物硅)芯片电容器专为微波电路应用中的高可靠性和可重复性能而设计。这些电容器由低压化学气相沉积(LPCVD)制成,形成致密、均匀的氮化物层。与类似的MOS、MIS和陶瓷电容器相比,这些器件具有更高的单位面积电容(导致更小的芯片尺寸)和更强的坚固性。蒸发金触点用于在电容器芯片上提供易于粘合的金属垫。MACOM的MNS电容器在150摄氏度的额定隔离电压下没有表现出可测量的电容变化。MA4M系列芯片电容器是Ku波段混合微波电路的最佳选择,在Ku波段,低损耗、高可靠性、小尺寸和温度稳定性是主要关注点。
产品规格
零件编号 MA4m1100
简短描述 MNS微波片式电容器
电容(pf) 100
支座电压(V) 100
芯片样式 199
包装类别 模具/冲模
包裹 模具
特征
极佳的重复性(晶圆对晶圆和批次对批次)
可提供圆形或方形粘合垫
低损耗,高Q
小型
应用
航空航天与国防
ISM
相关型号
MA4M1100 MBC50-20B12
MA4M3150 MBC50-2B12
MA4M1050 MBC50-33B13
MA4M3030 MBC50-3B12
MA4M3010 MBC50-47B13
MA4M3100 MBC50-4B12
MA4M3050 MBC50-68B13
MBC50-0.2B14 MBC50-6B12
MBC50-1.0B14 MBC50-82B13
MBC50-1.5B14 MBC50-8B12
MBC50-100B13 MC2B0.8020-020
MBC50-10B12 MC2B002020-020
MBC50-15B12 MC2B004020-020
MBC50-1B12 MC2B008020-020
MBC50-2.0B14 MC2B016020-020