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MA4M1100(金属氮化物硅)芯片电容器专为微波电路应用中的高可靠性和可重复性能而设计。这些电容器由低压化学气相沉积(LPCVD)制成,形成致密、均匀的氮化物层。与类似的MOS、MIS和陶瓷电容器相比,这些器件具有更高的单位面积电容(导致更小的芯片尺寸)和更强的坚固性。蒸发金触点用于在电容器芯片上提供易于粘合的金属垫。MACOM的MNS电容器在150摄氏度的额定隔离电压下没有表现出可测量的电容变化。MA4M系列芯片电容器是Ku波段混合微波电路的最佳选择,在Ku波段,低损耗、高可靠性、小尺寸和温度稳定性是主要关注点。

MA4M1100


产品规格
零件编号   MA4m1100
简短描述   MNS微波片式电容器
电容(pf)   100
支座电压(V)   100
芯片样式   199
包装类别   模具/冲模
包裹   模具

 

特征
极佳的重复性(晶圆对晶圆和批次对批次)
可提供圆形或方形粘合垫
低损耗,高Q
小型

 

应用
航空航天与国防
ISM

 

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