MBC50-1.0B14电容器利用热生长二氧化硅基上的氮化硅介质。合成的复合电介质具有低泄漏电流和插入损耗，具有良好的长期稳定性。电容温度系数通常为+55 ppm/ºC。
产品规格
零件编号 MBC50-1.0B14
简短描述 MNOS系列电容器
电容范围MIN（pF） 0.80
最大电容范围（pF） 1.20
类型 光束引线
最小偏差（V） 50
最小IR（nA） 1000
Tcc类型（ppm/摄氏度） 55
CT（pF） 1
特征
低泄漏电流
优异的长期稳定性
低插入损耗
应用
航空航天与国防
ISM
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