型号 STD30NF04LT-VB
丝印 VBE1410
品牌 VBsemi
参数
类型 N沟道
额定电压（Vds） 40V
最大持续电流（Id） 50A
导通电阻（RDS(ON)） 12mΩ @ 10V, 14mΩ @ 4.5V
门源电压范围（Vgs） 20V（正负）
阈值电压（Vth） 1.78V
封装 TO252
应用简介
STD30NF04LT-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有低导通电阻和高电流承受能力。它适用于多种应用领域，特别是需要高电流开关和电源控制的应用。
详细参数说明
1. **类型** 这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET常用于开关和调节电路中。
2. **额定电压（Vds）** 它可以承受的最大漏极-源极电压为40V。这表示在正常工作条件下，其电压应不超过40V。
3. **最大持续电流（Id）** 这款MOSFET的最大电流承受能力为50A。它可以处理高电流负载。
4. **导通电阻（RDS(ON)）** RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为12mΩ，而在4.5V下为14mΩ。低导通电阻表示它可以在导通状态下产生较少的功耗。
5. **门源电压范围（Vgs）** MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至少20V的电压来控制它的导通状态。
6. **阈值电压（Vth）** MOSFET的阈值电压为1.78V。这是启动MOSFET导通的门源电压。
7. **封装** 这款MOSFET采用TO252封装，这是一种常见的封装类型，方便在电路板上安装和连接。
应用领域
STD30NF04LT-VB这种高性能N沟道MOSFET可以用于多种应用，包括但不限于以下领域
1. **电源供应器** 它可以用于开关电源和线性电源，帮助实现电压转换和电流控制。
2. **电机控制** 在电机驱动器中，它可以用于控制电机的速度和方向。
3. **照明控制** 在LED照明系统中，它可以用于开关和调光控制。
4. **电池管理** 在充电和放电电路中，它可以用于电池保护和电流管理。
5. **工业自动化** 用于控制和监控工业设备和机器。
总之，这款MOSFET适用于需要高电流和低导通电阻的电子电路应用，并广泛用于工业、电子、通信和电源领域的模块和设备中。