型号 NTD12N10-1G-VB
丝印 VBFB1101M
品牌 VBsemi
**参数说明 **
极性 N沟道
额定电压（Vds） 100V
额定电流（Id） 15A
静态导通电阻（RDS(ON)） 115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V
门源极电压（Vgs） -20V 至 20V
阈值电压（Vth） 1.41V
封装类型 TO251
**应用简介 **
NTD12N10-1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块
1. **电源开关模块 ** 由于其高额定电压和电流承载能力，NTD12N10-1G-VB可用于电源开关模块，如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模块广泛应用于电子设备、通信设备和工业应用中。
2. **电池保护 ** 该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于便携式电子设备、无人机和电动工具非常关键。
3. **电机控制 ** NTD12N10-1G-VB适用于电机控制模块，例如直流电机控制器和步进电机驱动器。这在自动化系统、机器人技术和电动汽车中广泛使用。
4. **电池充电管理 ** 在电池充电管理模块中，该MOSFET可以用于电池充电电路，确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车、太阳能充电器和电池储能系统非常重要。
5. **LED驱动 ** 该产品还可以用于LED驱动模块，用于开关和调光LED灯。这对于照明系统、商业照明和照明调光器非常有用。
总之，NTD12N10-1G-VB是一款功能强大的N沟道MOSFET，适用于多种领域的模块设计，包括电源开关、电池保护、电机控制、电池充电管理和LED驱动等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电子设备的理想选择。