型号 NTD5865NLT4G-VB
丝印 VBE1615
品牌 VBsemi
参数
类型 N沟道
最大耐压 60V
最大电流 60A
静态开启电阻 (RDS(ON)) 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V
门源极电压 (Vgs) 20V (±V)
阈值电压 (Vth) 1.87V
封装类型 TO252
应用简介
NTD5865NLT4G-VB是一款高功率N沟道MOSFET，适用于需要高电压和高电流承受能力的电子应用，以下是一些可能的应用领域
1. 电源模块 这款MOSFET可用于电源模块中的功率开关，可应用于工业电源、电动工具和电动车辆充电器等高功率应用中，以提高电源效率。
2. 电机驱动 NTD5865NLT4G-VB可用于高功率电机驱动电路，如工业电机控制、电动汽车电机驱动器等，以实现高效的电机运行。
3. 高功率逆变器 在需要高功率逆变器的应用中，如电焊设备和高功率电炉，这款MOSFET可以用作关键的开关元件。
4. 电池管理 它还可以用于电池管理系统中，控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。
5. 汽车电子 由于其高电压和电流特性，这种MOSFET也适用于汽车电子系统，如车辆电源管理和驱动控制。
NTD5865NLT4G-VB的高电压和电流承受能力，以及低导通电阻，使其成为各种高性能、高功率电子应用的理想选择。然而，在选择和使用该器件时，仍然需要详细了解其数据手册和性能参数，以确保其满足特定应用的要求。