型号 IPD26N06S2L-35-VB
丝印 VBE1638
品牌 VBsemi
参数说明
极性 N沟道
额定电压（Vds） 60V
额定电流（Id） 45A
静态导通电阻（RDS(ON)） 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V
门源极电压（Vgs） -20V 至 20V
阈值电压（Vth） 1.8V
封装类型 TO252
应用简介
IPD26N06S2L-35-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块
1. 电源开关模块 由于其N沟道MOSFET特性，IPD26N06S2L-35-VB可用于电源开关模块，如DC-DC变换器、开关稳压器和电源模块。这些模块广泛应用于通信设备、工业电源和电子设备中。
2. 电机驱动 该MOSFET适用于电机驱动模块，如直流电机控制器、电机驱动器和步进电机控制。这在自动化系统、机器人技术和电动汽车中广泛使用。
3. 电池充电管理 在电池充电管理模块中，IPD26N06S2L-35-VB可以用于电池充电电路，确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车、太阳能充电器和电池储能系统非常重要。
4. 电源开关 该产品还可以应用于各种电源开关应用，如开关稳压器、DC-DC变换器和电源模块。这对于提供高效、可靠的电源解决方案非常重要。
5. 高电流应用 由于其高电流承载能力，IPD26N06S2L-35-VB适用于需要大电流的应用，如电动工具、电焊机和电动车辆充电设备。
总之，IPD26N06S2L-35-VB是一款多功能的N沟道MOSFET，适用于多种领域的模块设计，包括电源开关、电机驱动、电池充电管理、电源开关和高电流应用等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电子设备的理想选择。