TC2201 塑料封装低噪声PHEMT GaAs FET

型号: TC2201

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TC2201 

型号简介
Sumitomo的TC2201是一种高性能场效应晶体管,与TC1201一起封装在塑料封装中PHEMT芯片。其低噪声系数使该器件适合用于低噪声放大器。所有设备经过100%直流测试,确保质量一致。


型号规格  
厂家                    Sumitomo 
型号                    TC2201
名称                    砷化镓HEMT
产地                    日本
封装                    Ceramic micro-X
 

型号参数
1.5 dB 12 GHz时的典型噪声系数
高相关增益:Ga=7 dB,典型频率为12 GHz
12 GHz时的21.5 dBm典型功率
12 GHz时的8 dB典型线性功率增益
Lg=0.25µm,Wg=300µm
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试
低成本塑料Micro-X封装


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