型号简介
Sumitomo的TC1301是GaAs伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪声系数、高相关增益和高动态范围。该设备可用于高达30 GHz的电路，以及适用于低噪声和中等功率放大器应用。所有设备都经过100%直流测试，以确保质量一致。所有焊盘均镀金用于热压或热声引线接合。
型号规格
厂家 Sumitomo
型号 TC1301P0710
名称 砷化镓HEMT
产地 日本
封装 Chip
型号参数
低噪声系数：NF=0.8 dB 12 GHz时的典型值
高相关增益：Ga=10 dB，典型频率为12 GHz
高动态范围：1 dB压缩功率P-1=24.5 dBm在12 GHz
击穿电压：BVDGO≥9 V
Lg=0.25µm，Wg=600µm
全金金属化，实现高可靠性
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试
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