型号简介
Sumitomo的SEDI的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。该设备的目标应用是低电流和宽带高电压应用。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 F658-E030MK
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地 日本
封装 DFN
型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：46.5dBm（典型值）@Psat
高效率：55%（典型值）@Psat
线性增益：16.0dB（典型值）@f=2.7GHz
经验证的可靠性
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