型号简介
Sumitomo的SGC8598-100B-R是一种高功率GaN HEMT与X波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGC8598-100B-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IK
型号参数
高输出功率：Psat=51.0dBm（典型值）
高增益：Gp=10.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=41%（典型值）
宽带：8.5至9.8GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆
密封包装
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