型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆盖2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达应用300μsec的脉冲宽度和高达10%的占空比。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGN2933-600D-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 M1B
型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：700W（典型值）@引脚=31.6W（45dBm）
高效率：50%（典型值）@引脚=31.6W（45dBm）
宽带：2.9至3.3GHz
50欧姆配对
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