型号简介
Sumitomo的FHX35LG是一种高电子迁移率晶体管（HEMT），用于2-18GHz的通用低噪声高增益放大器频率范围。该器件被封装成成本有效、低寄生、低功耗的器件，用于大容量电信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪声应用程序。Eudyna严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 FHX35LG/002
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 SMT
型号参数
低噪声系数：1.2B（典型值）@f=12GHz
高相关增益：10.0dB（典型值）@f=12GHz
Lg≤0.25µm，Wg=280µm
实现高可靠性的金门金属化
经济高效的陶瓷微带（SMT）封装
可提供磁带和卷轴包装
相关型号
ELM1414-30F
ELM7785-60F
ELM7785-7PST
ELM7785-7PS
ES/SGM6801V1M
F658-6472-60A
F658-7785-30A
FHC30LGT
FHC30LG
FHX35LG/002
FLM1415-8F
FHX35LGT/002
FLM5964-35F
FLM1414-15F
FLM7785-18F
FLM7785-4F
FLM5964-18F
FLM7785-8F
FLM7785-6F
FLM7785-12F
FLM7185-6F