型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN350H-R提供高功率高，适用于L波段雷达应用50V操作和高达150μsec脉冲的脉冲条件宽度和占空比高达10%。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 SGN350H-R
名称 氮化镓晶体管
产地 日本
封装 SMT
型号参数
用于L波段雷达的高功率GaN HEMT
高功率：400W（典型值）@引脚=10W（40dBm）
高效率：70%（典型值）@引脚=10W（40dBm）
小型无法兰封装
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