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基本半导体
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深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。
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国芯思辰｜基本半导体650V 20A碳化硅肖特基二极管B1D20065K替代IDH20G65C5应用于PFC电路
2022-07-25
929阅读
国芯思辰｜基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流
2022-07-20
700阅读
碳化硅功率器件可靠性测试方法详解
2023-07-21
1224阅读
国芯思辰｜耐压1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充电桩电源模块上，Rds为32mΩ
2022-12-05
887阅读
国芯思辰｜对标科锐C4D30120D，40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调升压电源
2022-11-30
613阅读
国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D30120HC1可pin to pin替换科锐C4D30120D
2022-11-25
1017阅读
国芯思辰｜基本半导体650V碳化硅肖特基二极管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服务器电源
2022-11-23
791阅读
国芯思辰｜1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW车载OBC上的应用，可替代C2M0080120D
2022-11-17
1052阅读
国芯思辰｜可替换C3D10065A的碳化硅肖特基二极管：基本半导体650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC电源设计
2022-11-15
746阅读
国芯思辰｜基本半导体碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氢能源发电机，工作结温-55~175℃
2022-11-09
785阅读
国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D06065E在主体为BOOST电路的PFC电路应用方案
2022-11-07
830阅读
国芯思辰｜基本半导体650V碳化硅肖特基二极管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站电源
2022-11-03
652阅读
国芯思辰｜基本半导体大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS电源高效化，导通电阻32mΩ
2022-10-31
1093阅读
国芯思辰｜基本半导体SiC肖特基二极管助力OBC发展，650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列
2022-10-26
759阅读
国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT钳位，反向电压1200V
2022-10-12
807阅读
国芯思辰｜基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低电机驱动功率损耗，导通延迟20ns
2022-09-30
861阅读
国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度
2022-09-29
1133阅读
国芯思辰｜基本半导体双通道隔离栅极驱动器BTD21520替换UCC21320-Q1用于UPS电源，驱动峰值电流4.5/6A
2022-09-20
922阅读
国芯思辰｜基本半导体单通道隔离栅极驱动器BTD5350替代东芝TLP350用于工业空调
2022-09-14
1580阅读
国芯思辰｜基本半导体单通道隔离栅极驱动器BTD3011(替代SI8273DB-IS1R)用于10KW光伏逆变器
2022-09-08
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