宽禁带半导体材料有哪些

驱动SiC MOSFET有多容易？

氮化镓是什么结构的材料

碳化硅肖特基二极管的优势和应用领域

碳化硅功率器件的电气性能优势

浅谈英飞凌的碳化硅SiC战略

关于对碳化硅误解的描述

氮化镓(GaN)技术创新概况 氮化镓衬底技术是什么

手性光子源芯片开创量子态操控和传输的新路径

芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品

金刚石基光电探测及激光器应用研究

最有发展前途的宽禁带半导体材料——金刚石基GaN问世

森国科推出最小封装碳化硅二极管 具备高浪涌电流和雪崩能力

中科院8英寸SiC导电单晶研制成功

什么是宽禁带半导体？

功率二极管和功率晶体管的国内外研究总结

什么是GaN氮化镓？GaN有何优势？

一文解析氧化镓衬底的长晶与外延工艺

宽禁带半导体应用领域

第四代宽禁带半导体材料——氮化镓