蒸汽相氟化氢对晶片清洗和氧化物刻蚀的表征

晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米的技术挑战

SAPS兆频超声波技术应用于TSV晶片的刻蚀后清洗工艺

晶片表面沉积氮化硅颗粒的沉积技术

精确确定晶片结晶方向的不同技术方法

碱性KOH蚀刻特性的详细说明

开发一种低成本的臭氧去离子水清洗工艺

通过两步湿化学表面清洗来结合硅和石英玻璃晶片的工艺

半导体湿法中臭氧溶液去除有机/无机污染

PVA刷擦洗对CMP后清洗过程的影响

一种用湿式均匀清洗半导体晶片的方法

利用马兰戈尼效应的晶片干洗系统

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湿蚀刻在硅片晶薄中的作用

过氧化氢在SC1清洁方案中的作用说明

详解SC-I清洗的化学模型

晶硅晶片表面组织工艺优化研究

利用臭氧去离子水开发成本低的新型清洗工艺

半导体制造过程中的新一代清洗技术

基于RCA清洗的湿式清洗工艺