单晶硅片与蚀刻时间的关系研究

臭氧辅助硅蚀刻技术的研究

硅晶片的化学刻蚀和动力学效应

一种制备PS层的超声增强化学蚀刻方法

半导体清洗液中溶解氢气对晶圆清洗的影响

喷雾特性与蚀刻特性的相互关系

一种强有力的各向异性湿法化学刻蚀技术

第一原理化学反应流模型的开发和应用

硅晶片的蚀刻预处理方法包括哪些

硅晶圆蚀刻过程中的化学反应研究

硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用

操作参数对蚀刻速率和均匀性的影响

不同蚀刻时间对多孔硅结构和光学性能的影响

一种新的半导体超卤素深度分析方法

湿法蚀刻的GaAs表面研究

利用FFM机制进行的极微细机械加工

MACE工艺制备黑硅的表面形态学和光学性能研究

关于晶片背面的薄膜蚀刻法说明

光刻技术发展现状及未来趋势分析

多晶硅表面纹理化的典型方法