搜索内容
登录
闪存
15人关注
闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(注意:NOR Flash 为字节存储。),区块大小一般为256KB到20MB。
...展开
1415
文章
21
视频
502
帖子
114970
阅读
关注标签,获取最新内容
全部
技术
资讯
资料
帖子
视频
产品
RM46Lx50 16/32位精简指令集计算机(RISC)闪存微控制器数据表
2024-08-08
111阅读
RM46Lx30 16/32位精简指令集计算机(RISC)闪存微控制器数据表
2024-08-08
121阅读
RM46Lx40 16/32位精简指令集计算机(RISC)闪存微控制器数据表
2024-08-08
114阅读
RM48Lx40 16/32-位RISC闪存微控制器数据表
2024-08-08
116阅读
RM46L852 16/32位精简指令集计算机(RISC)闪存微控制器数据表
2024-08-08
108阅读
RM48Lx50 16/32-位RISC闪存微控制器数据表
2024-08-08
107阅读
RM48L952 16/32-位RISC闪存微控制器数据表
2024-08-08
114阅读
TMS470MF04207/TMS470MF03107 16/32位RISC闪存微控制器数据表
2024-08-07
153阅读
TMS570LS1114 16位和32位RISC闪存微控制器数据表
2024-08-07
133阅读
2024年DRAM收入将达到980亿美元,同比增长88%
2024-08-06
637阅读
TMS570LS12x4 16位和32位RISC闪存微控制器数据表
2024-08-06
125阅读
TMS570LS0232 16位和32位RISC闪存微控制器数据表
2024-08-05
124阅读
RM44Lx20 16位和32位RISC闪存微控制器数据表
2024-08-05
127阅读
SK海力士加速NAND研发,400+层闪存量产在即
2024-08-02
1111阅读
SK海力士致力于研发超400层的NAND闪存芯片
2024-08-02
535阅读
DRAM与NAND市场迎高增长,2024年收入飙升
2024-08-01
765阅读
美光量产第九代NAND闪存技术产品
2024-08-01
697阅读
爱普生推出16位闪存微控制器S1C17M40
2024-07-31
223阅读
今日看点丨小米首发搭载,高通发布骁龙 4s Gen 2 芯片;美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产
2024-07-31
696阅读
神州鲲泰亮相2024中国国际金融展,赋能金融行业做好“五篇大文章”
2024-07-22
326阅读
上一页
4
/
88
下一页
相关推荐
更多 >
区块链
吉利
汽车芯片
VoLTE
On-cell
vivo手机
人工智能芯片
HDD
CAN收发器
接收系统
win8
×
20
完善资料,
赚取积分