SK海力士开发出全球最高规格HBM3E，向英伟达提供样品

新型存储技术不断出现 ULTRARAM占据制高点

预计存储芯片价格第三季度跌幅达5%超预期

三星电子DRAM市场份额创新低 仍是全球第一

三星、SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市

天玑9300完成LPDDR5T性能验证9.6Gbps，下代旗舰手机标准有了

西安紫光国芯新一代多层阵列SeDRAM技术

美光推出CZ120内存扩展模块

上云秘笈：NUC980协同LTE Cat 1模组L610之智能工业网关设计

韩国集成电路产业发展，ICIndustry Development in South Korea

DRAM价格触底反弹，专家曝真实原因

HBM市场前景乐观，将推动三星等半导体业务的进一步增长

存储芯片厂商持续减产 DRAM价格止跌

美国、中国台湾半导体企业正涌向印度市场

6月份DRAM价格停止大幅下跌

三星电子坚持下调DRAM和NAND产能，即便市场需求上升

背面供电与DRAM、3D NAND三大技术介绍

三星开发出业界首款GDDR7 DRAM显存

上海矽朋微电子怎么样？MRAM荣获“中国半导体市场年度最佳产品奖”

各家3D NAND技术大比拼 被垄断的NAND闪存技术