华邦电子成功举办三场联合技术论坛

AI时代核心存力HBM(中)

三星平泽P4一期产线调整：将同时生产DRAM和NAND Flash

北京君正预计年底推出21nm DRAM产品

预计2025年DRAM产业将年增25%

2025年DRAM展望:位元产出大增25%,HBM成新增长极但供应紧张

三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片

FormFactor发布2024财年第三季度财报,收入创历史新高

美光科技将于2025年投产EUV DRAM

存储市场面临多重挑战,NAND与DRAM价格承压

三星电子HBM3E商业化遇阻，或重新设计1a DRAM电路

三星推出业界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM内存芯片

三星或重新设计1a DRAM以提升HBM质量

三星发布业界首款24Gb GDDR7 DRAM

预计第四季度DRAM市场仅HBM价格上涨

DRAM与NAND闪存价格大幅下跌

北京君正首颗 21nm DRAM下半年推出，三大存储类芯片持续研发，待行业市场复苏

长鑫迅速扩产 引发韩国业界及媒体关注

继HBM上车之后，移动HBM有望用在手机上

SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM