安世半导体宣布推出新款GaN FET器件

晶湛半导体完成数亿元C+轮融资

基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术

高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能研究

GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器研究

增强型功率氮化镓器件结构设计进展

助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展

GaN HEMT为什么不能做成低压器件

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技术

陈敬教授：面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术

浅谈宽禁带半导体涉及到的几个基础问题

乌卡时代下，科瑞新能源穿越周期韧性增长

德州仪器发布低功耗氮化镓系列新品

乾照光电再添多项LED芯片相关专利

关于铝镓氮（AlGaN）上p-GaN的高选择性、低损伤蚀刻

俄罗斯和印度再增2个SiC项目 合计超过6.3亿元

罗姆国富工厂将于明年生产8英寸碳化硅晶圆 目标增长35倍

LTC7891的GaN 400W电源模块