瑞萨电子发布新一代650V GaN FET：用独特D-MODE赋能高功率场景
瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用
英飞凌12英寸氮化镓晶圆可扩展生产步入正轨，四季度可交付样品
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GaN代工格局生变？台积电退场，纳微转单力积电谋新局
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纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
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氮化镓器件在高频应用中的优势
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