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Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
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2023-06-02
833阅读
基于GAN的无线通信与网络应用设计之通信信号的特征提取
2023-05-30
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支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
2023-05-30
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GaN HEMT工艺全流程
2023-05-25
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GaN基耐辐射DC/DC变换器在卫星应用中提高效率
2023-05-25
2000阅读
GaN中 (C_N) 缺陷的非辐射俘获系数计算（上）
2023-05-25
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让GAN再次伟大！拽一拽关键点就能让狮子张嘴&大象转身
2023-05-24
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ROHM具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT
2023-05-24
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2023-05-24
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氮化镓晶体管的优势
2023-05-24
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利用GaN的带宽和功率密度优势对抗RCIED
2023-05-24
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2023-05-24
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碳化硅上的氮化镓是唯一可行的长期5G解决方案
2023-05-24
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碳化硅上的氮化镓：衬底挑战
2023-05-24
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2023-05-24
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碳化硅MMIC上的氮化镓：高功率AESA雷达设计
2023-05-24
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2023-05-24
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2023-05-24
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集成的专业知识为X波段PA提供最佳的氮化镓解决方案
2023-05-20
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SiC范围内的GaN和热感知简化了X波段雷达设计
2023-05-20
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