抢先领取！高压CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮书推荐

GaN HEMT正加速成为储能市场主流

使用GaN HEMT设备最大化OBCs的功率密度

GaN HEMT为什么不能做成低压器件

利用 HEMT 和 PHEMT 改善无线通信电路中的增益、速度和噪声

CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统

AlGaN/GaN结构的氧基数字蚀刻

CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

CGD 与高品质服务领航者 DigiKey 达成全球分销协议

ROHM具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大会上展示电力电子装置的可持续未来

氮化镓新技术突破！

用于低温应用的GaN

增强型GaN HEMT的漏极电流特性 

新的GaN技术简化了驱动基于GaN的HEMT

下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二极管和耗尽型HEMT

一文详细了解高电子迁移率晶体管

射频GaN需求飙升，专利申请战全面启动

首款面向卫星通信应用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)