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蓉矽半导体1200V SiC MOSFET通过车规级可靠性认证

瞻芯电子第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

意法半导体推出新型功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统

东芝推出新一代高速二极管型功率MOSFET

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北京顺义泰科天润项目一期投资4亿元，预计2028年达产

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

英飞凌推出CoolSiC MOSFET G2技术，提升电力效率与可靠性

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8英寸SiC衬底阵容加速发展 全球8英寸SiC晶圆厂将达11座

泰矽微发布国内超小封装车规级全集成微马达驱动TCM33x系列芯片

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如何测量功率回路中的杂散电感

圣邦微电子推出一款最小脉冲宽度为1ns的车规级低侧驱动器SGM48521Q

瞻芯电子两款SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

碳化硅(SiC)功率半导体公司瞻芯电子完成股份改制