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利用GaN设计PFC整流器

【当代材料电学测试】系列之四：宽禁带材料测试

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纳微专家谈：氮化镓GaN HEMT有体二极管吗？

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SiC与石墨烯覆盖层一起用于GaN膜的生长

GaN和SiC基功率半导体的宽带隙技术

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氮化镓和Sslicon在各种性能指标上的比较

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