栅极驱动DC/DC系列产品扩展

全球大厂带节奏，日本功率半导体市场承受压力

具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究

韩国研究团队开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法

Sumitomo射频应用氮化镓 (GaN) 器件该怎么选？

使用GaN HEMT设备最大化OBCs的功率密度

意法半导体推出下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片

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安世半导体宣布推出新款GaN FET器件

晶湛半导体完成数亿元C+轮融资

基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术

高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能研究

GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器研究

增强型功率氮化镓器件结构设计进展

助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展

GaN HEMT为什么不能做成低压器件

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技术

陈敬教授：面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术