芯塔电子推出1200V/16mΩ TO-247-4封装SiC MOSFET产品TM4G0016120K

芯塔电子推出1700V/25mΩ TO-247-4封装SiC MOSFET产品TM4G0025170K

芯塔电子推出1200V/32mΩ SMPD封装SiC模块TFF068C12SS3

芯塔电子推出650V/260mΩ多封装SiC MOSFET产品TM3G0260065N

高精度焊接电源：基于SiC MOSFET的200kHz超高频脉冲系统与特种合金显微组织演变分析

碳化硅(SiC)模块构网型固态变压器(GFM-SST)核心综述：基于高频磁链观测的电压支撑算法

国产1200V SiC模块替代英飞凌同类产品的动态特性及兼容性对比分析

极速短路保护(SSC)方案研究：针对SiC模块低短路耐受时间的2μs保护电路

SiC模块短路保护（DESAT）消隐时间优化：防止在高dv/dt切换瞬间误触发的硬件滤波设计

Wolfspeed 300mm碳化硅技术为下一代AI与HPC系统提供可靠基础

SiC 电源选型避坑指南：5 大硬核指标，帮你避开 90% 的设计与量产雷区

极低谐波失真（THD < 1%）政策驱动下基于SiC模块的SST固态变压器并网技术规范与谐波抑制

光储充变一体化架构下基于SiC模块构建的固变SST多端口能量路由器解耦控制与功率潮流平衡

基于SiC模块构建的固变SST高频DC/DC变换中DAB与CLLC拓扑对比

未来算力接口：基于SiC模块的MMC-SST架构与三相不平衡补偿技术

博世碳化硅技术路线图持续演进

基于SiC模块的三电平ANPC拓扑在固态变压器SST整流级的共模电压消除算法研究

基于SiC模块的隔离型 DAB 变换器死区补偿算法：消除电流过零点畸变的底层实现技巧

基于 Foster 模型的实战建模：如何在仿真软件中设置 SiC 模块的瞬态热阻参数

宽禁带半导体软开关损耗分析及死区时间自优化算法：针对SiC的极致效率设计