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艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.56 MB | 2023-02-24

李桂兰

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艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1参数： 型号：IXYB82N120C3H1 漏极-源极电压（VCES）：1200V 连续漏电流（IC）：82A 功耗（PC）：1040W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA 输入电容（CISS）：4060pF 二极管正向电压（VSD）：2.7V 反向恢复时间（trr）：420ns
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