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N沟道40 V，3.3 mOhm，120 A逻辑电平MOSFET PSMN3R2-40YLB数据手册
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2024-02-21
王越建
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175°C LFPAK56封装中的120A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，使用先进的TrenchMOS超级结技术并进行优化，以提供改进的EMC性能(高达6dB)。该产品经过设计并符合高性能要求电源开关应用。
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