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N沟道40 V,1.9 mOhm,200 A标准电平MOSFET PSMN1R9-40YSB数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:309.85KB | 2024-02-21

尚文清

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  175°C LFPAK56中的200 A标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET封装,使用先进的TrenchMOS超级结技术进行优化,提供提高了EMC性能(最高6 dB)。该产品经过设计并符合高性能电源开关应用。

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