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N沟道40 V,1.8 mOhm,200 A逻辑电平MOSFET PSMN1R7-40YLB数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:310.74KB | 2024-02-21

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  175°C LFPAK56封装中的200 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET,使用先进的TrenchMOS超级结技术并进行优化,以提供改进的EMC性能(高达6dB)。该产品经过设计并符合高性能要求电源开关应用。

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