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RSD短脉冲放电应用中的集肤效应研究
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2009-10-16
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本文讨论了大功率超高速半导体开关RSD（Reversely Switched Dynistor）导通时的集肤效应，在考虑了大注入效应和强场引起的雪崩电离效应的RSD模型基础上，得到了在集肤效应影响下的芯片上的电流密度分布，越靠近边沿电流密度越大，且随着电流上升率的提高芯片中心和边沿电流密度的差距加大，该结论得到了初步实验验证。基于此，在电流上升率很高的短脉冲放电应用中，应尽量使用小直径RSD芯片，以提高芯片面积的利用率
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