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一种背栅总剂量效应电流模型
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2017-10-31
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绝缘体上硅（Silicon-on-Insulator，SOI ）技术是一种被广泛应用于抗辐射加固设计的技术。该技术相对于体硅技术而言，最大的改进在于增加了埋氧层，将体硅中的体区与衬底隔离开，形成介质隔离从而杜绝闩锁效应和总剂量辐射效应引发的器件间漏电。由于SOI 衬底-埋氧层-顶层硅： 三部分形成了新的MOS 结构，通常也称为背栅晶体管。这种埋氧层的存在使得基于SOI 技术的晶体管在抗单粒子、瞬态辐射等效应时有着天然的优势B。然而，埋氧层的存在也增加了总剂量辐射效应的敏感区域，使得SOI 的总剂量效应变得更严重。通过电路设计验证加固效果时需要反复对电路进行辐射实验，大大增加了抗辐射电路开发的成本，开发周期十分漫长。针对总剂量效应建立可用于电路仿真的SPICE 模型，是一种较为迅速的加固设计开发方法。已有的研究主要针对SOI 器件的前栅栅氧与隔离场氧建立总剂量模型，缺少针对埋氧层进行的建模。
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