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总体说来，凡是实际使用中的有源电路中往往都有半导体晶体管。在形形色色的电子世界中，晶体管是绝大部分电路功能的实现者，是电子电路设计者必须掌握的基本要素。只有正确地理解掌握了基本的电路器件，才能设计出符合目的的，功能正常、性能可靠的电路。在电子世界飞速发展的今天，掌握基本器件是正确、可靠地使用集成器件所必须的辅助条件。本文将列出几种最常用的晶体管器件进行简介
在硅［S、锗［Ge］、砷化镓［GaAs］等具有共价键的单晶本征半导体材料中，以特殊艺［如高温扩散、离子注入等］“搀杂”进一定浓度［106~~10的其它特定原子，在不破坏原半导体共价键的情况下，使“杂质”原子在晶格的某些位置上替代原来材料的原子，因为原晶体的共价键结构的存在，以及杂质原子与晶体原子的自由电子数目不相等，那么在形成共价键后，杂质原子就会多出自由电子或者被共价键牵引而缺少了自由电子从整个材料特性看来仍然对外界表现岀电中性，但在晶格附近就会有多余的电子或者因缺少电子而形成了带正电的“空穴”。有“多余”电子的搀杂材料就称为 Negative型半导体，带“空穴”的搀杂材料就称为 Positive型半导体。从电路结构上说来，PN结是一种特殊的材料接触结构：将P型半导体以及N型半导体以特定的工艺进行原子级结合就可以形成PN结，PN结有这样的特点：因P型半导体中的空、N型半导体中的电子互相“渗透”会形成一个接触电场，方向为从N端指向P端。当分别在P、N端加上电压时，PN结将表现出宝贵的单向导电性：P极加正电压，N极加负电压时接触电场被削弱，PN结导通;N极加正电压，P极加负电压时接触电场被增加，导致自电子无法通过。在PN正向导通时，因接触电场的存在，将会在结上形成一固定压降，硅PN结的压降一般为0.6Ⅴ左右，锗材料结的压降为0.3~0.5V左右。锗材料的温度敏感性很这是典型的PN结伏安特性。可见PN结在加以很大的反压时可以突然导通，导通电阻很小，导通电压为V1，在加以正压时，在一个比较小的电压上［V2］，PN结也开始相对缓慢导通。于电压V1处的导通称为反向击穿，击穿后若对电流不加以限制，很容易使PN流烧毁，但电压ⅥI比较稳定，这个特性被运用于稳压。V2处的导通称为正向导通，其电压对于硅管说来为0.6V左右，对于锗管说来为0.3~0.5V左右。V1的电压大小可以通过半导体加工工艺来改变，可以做到几伏到几千伏在PN区分别接上欧姆接触电极，就构成了各种“二极管”PN结的反向击穿从机理上说来有两种：齐纳击穿和雪崩击穿
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