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GaN大功率的进一步发展

消耗积分:3 | 格式:pdf | 大小:0.89 MB | 2020-11-18

KANA

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  近日,有权威人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业写入正在制定中的“十四五”规划,以期在 2021-2025 年期间实现产业独立自主。重视之余,还要搞清楚在量大面广的民用领域,不同材料技术究竟适合哪些应用?哪些领域可以率先尝试?近年来,发展电动汽车已成为全球必然趋势,2025 年到 2040 年一些国家将全面禁售燃油车销售。尽管借助了空气动力学设计,使用更轻的材料和更高效的电池,但对增加续航里程还远远不够。如何让电动汽车达到最佳功率转换效率,才是电动汽车赢得青睐的关键。要实现该目标,就必须借助于先进功率器件,比如同为第三代宽带隙(WBG)半导体的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。由于更高的性能和更高的可靠性,未来汽车应用将是宽带隙器件的最大市场,一些头部车企已开始使用 SiC,GaN 也显示出替代硅器件后来居上的优势。预测表明,GaN 将在 2020 年之后迎来大规模采用。

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