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双脉冲测试到底是什么
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2020-11-25
淡淡的爱
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通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性我们开设了 Si 功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估 MOSFET 体二极管的反向恢复特性，并确认 MOSFET 损耗情况。
1 MOSFET 体二极管的反向恢复特性与桥式电路损耗的关系在逆变器电路和 Totem Pole 型功率因数改善（PFC）电路等具有 2 个以上 MOSFET 的桥式电路中，由于流过上下桥臂的电流会使导通损耗增加。该现象受开关 MOSFET 和对应桥臂 MOSFET 的体二极管（寄生二极管）的反向恢复特性影响很大。因此，在桥式电路中，体二极管反向恢复特性优异的 MOSFET 优势明显。
2 什么是双脉冲测试？双脉冲测试是广泛应用于 MOSFET 和 IGBT 等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该测试不仅可以评估对象元件的开关特性，还可以评估体二极管和 IGBT 一同使用的快速恢复二极管（FRD）等的反向恢复特性。因此，对导通时发生反向恢复特性引起损耗的电路的评估非常有效。双脉冲测试的基本电路图如下所示。
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