资料下载
×
齐纳二极管稳压器的学习教程和仿真资料说明
消耗积分:3 |
格式:pdf |
大小:0.29 MB |
2020-11-25
分享资料个
齐纳二极管在正向偏置时的行为类似于具有 PN 结的普通硅二极管，允许电流从阳极流向阴极。但在反向偏置时，齐纳二极管不同于普通二极管阻止电流流动，而是在达到一定反向电压阈值时，开始导通，允许反向电流流过。当施加到齐纳二极管的反向电压超过其典型极限阈值时，在半导体耗尽区会发生称为雪崩击穿的过程，随后二极管会产生电流来限制电压的升高。在此过程中，电荷通过自由电子与相邻原子的碰撞而产生，并因此产生热量，有可能对器件造成不可逆转的损坏。但是，如果二极管的耗尽区非常薄且高掺杂，则可能由于结中产生的高强度电场而生成反向电流。这个过程称为齐纳击穿（如图 1 所示），它是可逆的，而且不会损坏二极管。图中的水平轴上，齐纳二极管电压变得稳定的点称为齐纳电压（VZ），其值可以在几伏至几百伏之间。在掺杂和二极管制造过程中，可以小心地控制导通曲线的斜率和触发该过程的最小反向电流值，使公差小于 1%。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
