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ESD保护元件的对比分析及大电流性能鉴定
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2008-12-27
杨海清
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在人们的日常工作生活中，静电放电(ESD)现象可谓无处不在，瞬间产生的上升时间低于
纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流，会对手机、笔记本电脑等电子
系统造成损伤。对于电子系统设计人员而言，如果没有采取适当的ESD 保护措施，所设计的电子产品就会有遭到损伤的可能。因此，电子系统设计中的一项重要课题便是确保使其能够承受ESD 的冲击，并继续正常工作。
ESD 保护方法
为了给电子系统提供ESD 保护，可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内
建ESD 保护架构。不过，日趋缩小的CMOS 芯片已经越来越不足以承受进行内部2 kV
等级的ESD 保护所需要的面积。安森美半导体标准产品部亚太区市场营销副总裁麦满权
指出：真正有效的ESD 保护是不能完全集成到CMOS 芯片之中的！
其次，也可以在物理电路设计方面下功夫，较敏感的电路元件应该尽量远离通孔或接缝
处，如果可能的话，线缆连接器的接地应该要在系统信号引脚接触前先连接到系统的接
地，通过这样的方式，线缆上所发生的放电事件就比较不会造成干扰或破坏。
此外，软件也能够为ESD 设计作出贡献。系统连接的感测器比较容易受到ESD 的冲击，
造成接口电路的锁住情况，而能够感测锁住情况的软件则可以用来重置接口电路且无须操作人员的接入。
纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流，会对手机、笔记本电脑等电子
系统造成损伤。对于电子系统设计人员而言，如果没有采取适当的ESD 保护措施，所设计的电子产品就会有遭到损伤的可能。因此，电子系统设计中的一项重要课题便是确保使其能够承受ESD 的冲击，并继续正常工作。
ESD 保护方法
为了给电子系统提供ESD 保护，可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内
建ESD 保护架构。不过，日趋缩小的CMOS 芯片已经越来越不足以承受进行内部2 kV
等级的ESD 保护所需要的面积。安森美半导体标准产品部亚太区市场营销副总裁麦满权
指出：真正有效的ESD 保护是不能完全集成到CMOS 芯片之中的！
其次，也可以在物理电路设计方面下功夫，较敏感的电路元件应该尽量远离通孔或接缝
处，如果可能的话，线缆连接器的接地应该要在系统信号引脚接触前先连接到系统的接
地，通过这样的方式，线缆上所发生的放电事件就比较不会造成干扰或破坏。
此外，软件也能够为ESD 设计作出贡献。系统连接的感测器比较容易受到ESD 的冲击，
造成接口电路的锁住情况，而能够感测锁住情况的软件则可以用来重置接口电路且无须操作人员的接入。
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