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功率半导体器件的复习资料合集免费下载
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2021-01-21
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1、功率二极管结构为PIN 结构， I 区一定是本征区吗？如果不是本征区一般为类型的半导体？为什么？
2、PIN 二极管反向阻断电压的计算及耐压设计
例一：画出雪崩击穿时，穿通结构和非穿通结构的电场分布
例二：76wIm 53.5VPT ，470.4 3 no VPT 代表什么意义，计算实现 4000V 阻断电压的穿通结构二极管最薄高阻区厚度和电阻率。
例三： VPT （2 2 ）VB ， wI xmB ，若阻断电压为 4000V， 0.75 ，确定穿通结构二极管高阻区厚度和电阻率。0.75 时雪崩击穿电压见笑了多少？漂移区厚度减小了多少？穿通结构主要用来解决什么问题？用来改善什么特性？
例四：VDMOSFET 的结构如图所示， 如果可将J1 结近似为平面结， 计算出阻断耐压为800V的漂移区的掺杂浓度和厚度（非穿通结构） 。计算出阻断耐压为1200V 的漂移区的掺杂浓度和厚度（穿通结构） 。
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