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2021-03-18
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缩小MOS器件的尺寸是推进VSI技术发展的关键因素。初期的MOS器件都是大尺寸的（10m左右），因而习惯上有→套适用它们的物理模型和计算方法，所得的结果与大尺寸器件的实测特性相符合。这种模型和计算方法叫做逐次沟避近似（Grad-ual Channel Approximation），筒称为GCA。但是，它对VLSI中的小尺寸器件不适用，必须进行修正。本章将阐明MOS小尺寸器件的各种物理效应（包括一级和二级效应），并对GCA作相应的各项修正。小尺寸Mos器件是VLS中最基本的元，必须了解其基本的物理和电学特性，建立起符合实际且较简便的计算模型公式，这是正确进行计算机电路模拟的基础，也是进行VLSI设计计算的基本工具。实际上，计算机电路模拟的精度很大程度上决定于器件模型的精度。因此，建立一个较特确的、而且便于计算的器件模型对vLSI设计是至关重要的这也是本书首先介绍器件模型的原因。同时，由于目前国际上普逢使用美国加州大学伯克利（Berkeey）分校开发的 SPICE电路模拟程序，所以我们也将结合它给出的小尺寸MOS器件模型进行一定的介绍及分析讨论，并指出它的不足，以利于那些用该程序的ⅥISI设计者对它有较正确的认识。
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