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IGBT功率管RCD缓冲补偿设计实例分析

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.15 MB | 2021-06-17

姚小熊27

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  RCD组合在反激拓扑中最为常见,是用来吸收漏感的尖峰能量,以限制功率管D(C)极的反压不致过高。当然在单端正激拓扑中也有采用,如RCD复位等,但其工作机理及作用与反激中的RCD即类似又有所不相同。而本文讨论的RCD组合,是用于双管正激拓扑中的,用来限制关断时的du/dt,从而降低IGBT的关断损耗与发热,以提高IGBT功率管的工作可靠性,并明显降低了整机的EMI。

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