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IGBT功率管RCD缓冲补偿设计实例分析
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2021-06-17
姚小熊27
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RCD组合在反激拓扑中最为常见，是用来吸收漏感的尖峰能量，以限制功率管D（C）极的反压不致过高。当然在单端正激拓扑中也有采用，如RCD复位等，但其工作机理及作用与反激中的RCD即类似又有所不相同。而本文讨论的RCD组合，是用于双管正激拓扑中的，用来限制关断时的du/dt，从而降低IGBT的关断损耗与发热，以提高IGBT功率管的工作可靠性，并明显降低了整机的EMI。
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