×

开关电源的八大损耗（2）

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小: | 2022-01-07

洪茗苞

分享资料个

3、开关动态损耗   由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的，很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗，器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间，也称作死区时间，在这个过程中会产生功率损耗。图5 所示MOSFET 的漏源电压( VDS )和漏源电流(IDS)的关系图可以很好地解释MOSFET 在过渡过程中的开关损耗，从上半部分波形可以看出VDS和tSW(ON)期间电压和电流发生瞬变，MOSFET 的电容进行充电、放电。   图5 所示，( VDS )降到最终导通状态(= ID ×
下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !